趋肤深度与吸收损耗

根据频率、电导率和磁导率,计算趋肤深度以及给定厚度下的吸收损耗。铜在 1 MHz 时约为 66 µm。

计算示例

输入: 频率 1 MHz, 电导率 σ 58 MS/m, 相对磁导率 μr 1, 厚度 t 100 µm
结果: 趋肤深度 δ 66.0855 µm, 吸收损耗 A 13.1436 dB

δ = 1 / √(π·f·μ·σ)

A = 8.686 · t / δ (dB)

铜：σ ≈ 58 MS/m，铝 ≈ 35 MS/m

趋肤深度 δ 是波的幅值衰减到 1/e 时的深度:δ = 1/√(π·f·μ·σ)。厚度为 t 的导体产生的吸收损耗为 A = 8.686·t/δ dB。可用于选择屏蔽层厚度,以及估算接地导体的高频电阻。

实用提示本计算器仅涵盖吸收损耗。屏蔽效能等于反射损耗加吸收损耗,因此即使是很薄的金属膜,借助反射也能很好地屏蔽电场和平面波。低频磁场屏蔽则需要高磁导率(高 μr)的材料。